制造能力

质量保证
二氧化锗
区熔锗
锗单晶生长
光学元件制作
数控超精密加工中心
光学镀膜中心
研发
锗单晶生长
作者:admin 来源:本站原创 日期:2015-08-10 浏览:929次 字体: [] [] []

    锗单晶生长

   公司采用先进的国外设备,和十余年的晶体制备工艺技术,进行红外光学级光电级锗单晶的生产。年产锗单晶25t,硅单晶5t。可生产:一、电子级锗单晶:电阻率范围0.25~50Ωcm,电阻率不均匀度<15%,晶向(111),晶向偏离<2º,位错密度1000~3500个/cm²。

    少数载流子寿命>150微秒。电子级锗单晶主要用于制作锗晶体管,由于锗的电子和空穴迁移率较硅高,在高速开关电路方面,锗的性能远好于硅。 



    二、光学级锗单晶:导电型号N,掺杂剂Sb,电阻率范围10~30Ωcm,直径Φ8~250mm,透射波长范围2~14μm,透过率(d=2mm未镀膜)=46~47%,吸收系数<0.02/cm。它的特殊能带结构所确定的电子-光子和光子-声子作用导致锗对红外辐射有较宽阔的光学透射范围,在3~5mm和8~14mm波长两个红外大气窗口具有优良的透过性能。现可根据不同要求,拉制最大直径达300mm的锗单晶。





上一篇:没有了
Copyright © KIRO.All right Reserved 版权所有:云南北方驰宏光电有限公司    滇ICP备15004088号 技术支持:奥远科技
工商网监